MOCVD原理：

MOCVD是以III組、II族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統中的晶體生長都是在常壓或低壓（10-100Torr）下通H2的冷壁石英（不銹鋼）反應室中進行，襯底溫度為500-1200℃，用射頻感應加熱石墨基座（襯底基片在石墨基座上方），H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區。

MOCVD優點：

- 適用范圍廣泛，幾乎可以生長所有化合物及合金半導體;

- 非常適合于生長各種異質結構材料;

- 可以生長超薄外延層，并能獲得很陡的界面過渡;

- 生長易于控制;

- 可以生長純度很高的材料;

- 外延層大面積均勻性良好;

- 可以進行大規模生產。